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SIHFR9110-E3	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9110-E3	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9110-E3	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR9110-E3	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU9110-E3	文件：963.34 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFU9110-E3	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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SIHFU9110-E3	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU9110-E3	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SIHFR9110-E3
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	SiHFR9110-E3	VISHAY/威世	2511	TO-252	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	SiHFR9110-GE3	NK/南科功率	2025+	TO-252-2	986966	国产	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	SIHFR9110T	VISHAY/威世	24+	TO-252	30000	只做正品原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SiHFR9110TR-GE3	VISHAY/威世	23+	TO-252	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	SIHFR9110TR-GE3	VISHAY	23+	TO-252	4500	原厂原装正品	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SIHFR9110-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO252	60000	全新原装现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	SIHFR9110-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO252	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SIHFR9120	VISHAY/威世	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SIHFR9120	VB	21+	SOT-252	10000	原装现货假一罚十	询价

更多SIHFR9110-E3供应商更新时间2025-7-25 12:00:00

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