SiHF6N65E中文资料E Series Power MOSFET数据手册Vishay规格书
SiHF6N65E规格书详情
特性 Features
·Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
·Low input capacitance (Ciss)
·Reduced switching and conduction losses
技术参数
- 型号：
SIHF6N65E
- 功能描述：
MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 漏极连续电流：
7 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.6 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
477 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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VISHAY |
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TO-220F |
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VISHAY |
2450+ |
TO-220 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220AB |
11200 |
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vishay原装 |
24+ |
TO-220F |
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vishay原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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Vishay(威世) |
23+ |
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11800 |
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VIS |
23+ |
TO-220 |
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VISHAY |
23+ |
TO220 |
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