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SIHB5N80AE	文件：206.11 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •IntegratedZenerdiodeESDprotection •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
5N80	文件：171.68 Kbytes Page：5 Pages	5Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N80isaN-channelenhancementmodepowerMOSFET.ItuseUTCadvancedtechnologytoprovideavalancheruggedtechnologyandlowgatecharge. Itcanbeappliedinhighcurrent,highspeedswitching,switchmodepowersupplies(SMPS),consumerandindustriallighting,DC-A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N80	文件：178.37 Kbytes Page：5 Pages	5A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N80	文件：65.64 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed DESCRIPTION ·DrainCurrentID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Generalpurposepoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
5N80	文件：320.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FIR5N80FG	文件：2.13658 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FKPF5N80	文件：158.17 Kbytes Page：7 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristorPlanarSilicon	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB5N80	文件：670.77 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI5N80	文件：670.77 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N80	文件：660.87 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF5N80	文件：649.22 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK5N80D	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80DD	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80DD	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80F	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80F	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80P	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80P	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80PD	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HFP5N80	文件：218.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:30nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):2.0Ω(Typ.)@VGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHB5N80AE-GE3	VISHAY(威世)	23+	TO263	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市正纳电子有限公司	SIHB5N80AE-GE3	Vishay	NEW-	MOSFETs	100000	Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube	询价
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更多SIHB5N80AE供应商更新时间2024-6-5 14:27:00

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