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SIHB12N60E-GE3	文件：1.038119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.038119 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SIHB12N60E-GE3
功能描述：
MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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