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SIHB125N60EF	文件：214.37 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：214.37 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHB125N60EF-GE3	文件：214.37 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：214.37 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHB125N60EF	文件：300 bytes Page：1 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode	Vishay 威世	Vishay
SIHG125N60EF	文件：212.63 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AP 文件：212.63 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHH125N60EF	文件：188.33 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：188.33 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHK125N60E	文件：1.13067 Mbytes Page：7 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AP 文件：1.13067 Mbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
D2PAK (TO-263)
Ch：
N
VDS (V)：
600
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.125
Qg @10V (nC)：
31
Qgs (nC)：
12
Qgd (nC)：
11
ID Max. (A)：
25
PD Max. (W)：
179
VGS(th) Min. (V)：
3
Rg Typ. (Ω)：
0.65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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