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SIHB125N60EF	文件：214.37 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB125N60EF-GE3	文件：214.37 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
FCH125N60E	文件：793.1 Kbytes Page：9 Pages	Telecom/SeverPowerSupplies	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH125N60E	文件：372.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP125N60E	文件：301.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP125N60E	文件：1.54589 Mbytes Page：9 Pages	Telecom/SeverPowerSupplies	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SIHG125N60EF	文件：212.63 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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