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SIHB105N60EF	文件：205.69 Kbytes Page：9 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：205.69 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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SiHB105N60EF	文件：300 bytes Page：1 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 4th generation E series technology\nLow figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\nLow effective capacitance (Co(er));	Vishay 威世	Vishay
SIHG105N60EF	文件：207.68 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：207.68 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHH105N60EF	文件：192.04 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Kelvin connection for reduced gate noise • Material categorization: for definitions of complianc 文件：192.04 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHK105N60EF	文件：180.78 Kbytes Page：7 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AP 文件：180.78 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
D2PAK (TO-263)
Ch：
N
VDS (V)：
600
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.102
Qg @10V (nC)：
35
Qgs (nC)：
12
Qgd (nC)：
11
ID Max. (A)：
29
PD Max. (W)：
208
VGS(th) Min. (V)：
3
Rg Typ. (Ω)：
0.7

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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