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SIHA21N80AEF	文件：157.45 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：157.45 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHA21N80AEF-GE3	文件：157.45 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：157.45 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiHA21N80AEF	文件：300 bytes Page：1 Pages	E Series Power MOSFET • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg\n• Reduced switching and conduction losses\n• Server and telecom power supplies\n• Power factor correction power supplies (PFC);	Vishay 威世	Vishay
SIHB21N80AE	文件：200.02 Kbytes Page：9 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Server and telecom power 文件：200.02 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG21N80AE	文件：202.48 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET 文件：202.48 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHG21N80AEF	文件：195.77 Kbytes Page：10 Pages	EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：195.77 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
Thin-Lead TO-220 FULLPAK
Ch：
N
VDS (V)：
800
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.25
Qg @10V (nC)：
47
Qgs (nC)：
10
Qgd (nC)：
21
ID Max. (A)：
7
PD Max. (W)：
33
VGS(th) Min. (V)：
2
Rg Typ. (Ω)：
0.5

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