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SIHA120N60E	文件：154.34 Kbytes Page：8 Pages	E Series Power MOSFET FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AIKQ120N60CT	文件：1.9321 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKQ120N60T	文件：1.9707 Mbytes Page：16 Pages	Increasedcurrentcapability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKQ120N60TA	文件：2.26713 Mbytes Page：16 Pages	verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXGK120N60B	文件：46.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGR120N60B	文件：566.42 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTISOPLUS247TM	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGX120N60B	文件：46.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGX120N60B	文件：161.86 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTIGBTs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PJMF120N60EC	文件：567.82 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:ITO-220AB-Fpackage Terminals:	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJMH120N60EC	文件：582.3 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:TO-247AD-3LDpackage Terminals	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJMP120N60EC	文件：565.83 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelSuperJunctionMOSFET Feature: RDS(ON)Max,VGS@10V:120mΩ Easytouse/drive HighSpeedSwitchingandLowRDS(ON) 100AvalancheTested 100RgTested LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData Case:TO-220AB-Lpackage Terminals:	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SIHB120N60E	文件：193.5 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG120N60E	文件：193.54 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH120N60E	文件：186.65 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP120N60E	文件：130.509 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多SIHA120N60E供应商更新时间2024-6-24 15:00:00

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