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SIGC84T120R3LE中文资料IGBT裸片(400V-1200V)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SIGC84T120R3LE

参数属性

SIGC84T120R3LE 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 75A DIE

功能描述

IGBT裸片(400V-1200V)
IGBT 1200V 75A DIE

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 20:00:00

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SIGC84T120R3LE规格书详情

描述 Description

The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特性 Features

• Low turn-off losses
• Short tail current
• Positive temperature coefficient
• Easy paralleling

优势:

简介

SIGC84T120R3LE属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SIGC84T120R3LE晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SIGC84T120R3LEX1SA7

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 输入类型:

    标准

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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