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SIGC109T120R3L 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌
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原厂料号:SIGC109T120R3L品牌:INFINEON
SIGC109T120R3L是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装1/模具的SIGC109T120R3L晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
SIGC109T120R3LEX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
- 输入类型:
标准
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 100A DIE
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