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深圳市创新迹电子有限公司

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SIE806DFMOS(场效应管)

VISHAY/威世PolarPAK

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原装现货,随时欢迎询价

天津市博通航睿技术有限公司

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SIE806DF

VISHAY/威世PolarPAK

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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SIE806DF

VISHAY/威世PolarPAK

11200

23+

原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市威尔健半导体有限公司

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SIE806DF

NIKO/尼克森微TO-252

69820

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SIE806DF

VISHAY/威世PolarPAK

8000

23+

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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SIE806DF-T1-E3

VISHAY/威世QFN

6540

2450+

只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!

瀚佳科技(深圳)有限公司

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SIE806DF-T1-E3

只做原装QFN

36520

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一级代理/放心采购

深圳市一线半导体有限公司

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SIE806DF-T1-E3

VIS

3000

24+

中天科工半导体（深圳）有限公司

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SIE806DF-T1-E3

VISHAYna

65790

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市河锋鑫科技有限公司

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SIE806DFT1GE3

Vishay Siliconix10PolarPAK? (L)

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市河锋鑫科技有限公司

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SIE806DFT1GE3

Vishay Siliconix10PolarPAK? (L)

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SIE806DFMOS(场效应管)

VISHAY/威世PolarPAK

11440

23+

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SIE806DF-T1-GE3

VISHAY10-PAK

3000

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深圳市科雨电子有限公司

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SIE806DF-T1-GE3

VISHAY10-PAK

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SIE806DFT1E3

Vishay Siliconix10PolarPAK? (L)

9000

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SIE806DFT1E3

Vishay Siliconix10PolarPAK? (L)

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SIE806DF-T1-E3

VISHAY10-PAK

3000

25+

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SIE806DF-T1-E3

VISHAY10-PAK

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SIE806DF-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIE806DF-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIE806DF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

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