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厂商型号

SIE802DF

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

195.62 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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数据手册

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更新时间

2026-1-29 22:58:00

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SIE802DF规格书详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Gen II Power MOSFET

• Ultra Low Thermal Resistance Using Top-

Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided

Cooling

• Leadframe-Based New Encapsulated Package

- Die Not Exposed

- Same Layout Regardless of Die Size

• Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through

• 100 Rg and UIS Tested

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• VRM

• DC/DC Conversion: Low-Side

• Synchronous Rectification

产品属性

  • 型号:

    SIE802DF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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