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SIDC23D120E6中文资料Chip Diode数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
SIDC23D120E6 |
参数属性 | SIDC23D120E6 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER |
功能描述 | Chip Diode |
封装外壳 | 模具 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:01:00 |
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SIDC23D120E6规格书详情
描述 Description
Emitter Controlled-Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled-Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled-Diode is optimized for Infineon IGBT technology.
特性 Features
• Soft, fast switching
• Low reverse recovery charge
• Small temperature coefficient
优势:
应用 Application
•SMPS
•Industrial drives
• Resonant applications
简介
SIDC23D120E6属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SIDC23D120E6二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:SIDC23D120E6
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:not for new design
- Green
:yes
- Halogen-free
:yes
- Technology
:Emitter Controlled Diode
- VDS max
:1200 V
- IF max
:25 A
- I(FSM) max
:50 A
- VF
:1.9 V
- IR max
:250 µA
- Irrm
:23.9 A