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SiC657中文资料50 A VRPower® Integrated Power Stage数据手册Vishay规格书

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厂商型号

SiC657

参数属性

SiC657 封装/外壳为PowerPAK® MLP55-31L;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;SiC657应用范围:通用;产品描述:IC POWER STAGE 50A MLP31-55

功能描述

50 A VRPower® Integrated Power Stage
IC POWER STAGE 50A MLP31-55

封装外壳

PowerPAK® MLP55-31L

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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SiC657规格书详情

特性 Features

Thermally enhanced PowerPAK® MLP55-31L package
Vishay’s Gen IV MOSFET technology and a low side MOSFET with integrated Schottky diode
Delivers in excess of 50 A continuous current, 55 A at 10 ms peak current

简介

SiC657属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由制造生产的SiC657全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

技术参数

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  • 产品编号:

    SIC657CD-T1-GE3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 类别:

    集成电路(IC) > 全半桥驱动器

  • 系列:

    VRPower®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 输出配置:

    半桥

  • 应用:

    通用

  • 接口:

    逻辑,PWM

  • 负载类型:

    电感,电容性,电阻

  • 技术:

    功率 MOSFET

  • 电流 - 输出/通道:

    50A

  • 电流 - 峰值输出:

    55A

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 电压 - 负载:

    24V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 特性:

    自举电路,二极管仿真

  • 故障保护:

    击穿,UVLO

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerPAK® MLP55-31L

  • 供应商器件封装:

    PowerPAK® MLP55-31L

  • 描述:

    IC POWER STAGE 50A MLP31-55

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