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SIHFI620G	文件：1.76729 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL620	文件：2.03127 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.80 Qg(Max.)(nC)16 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)9.6 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHL620	文件：2.20214 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL620	文件：2.20053 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHL620S	文件：1.47104 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL620S	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logiclevelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHLI620G	文件：1.23242 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIL620	文件：86.64 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor Features ■RoHScompliant. ■Smallsize(5.6mm*5.6mm),Lowprofile(2.0mmmax.height)SMDtype. ■Magneticallyshielded,suitableforhighdensitymounting. ■HighenergystorageandlowDCR. ■Providedwithembossedcarriertapepacking. ■Idelforpowersourcecircuits,DC-DCconverter,D	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
SM620D	文件：295.3 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPSurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMPB620	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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