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SIB4317EDK	文件：197.29 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Thermally enhanced PowerPAK® SC-75 package - Small footprint area - Low on-resistance - Thin 0.75 mm profile • Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM) • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATI 文件：197.29 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiB4317EDK	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET • Thermally enhanced PowerPAK® SC-75 package - Small footprint area - Low on-resistance - Thin 0.75 mm profile\n• Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)\n• 100 % Rg tested;	Vishay 威世	Vishay
VBA4317	文件：625.34 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：625.34 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA4317A	文件：637.12 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs - Game Stations 文件：637.12 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
PowerPAK SC-75
Ch：
P
VDS (V)：
-30
VGS (V)：
12
RDS(on)@2.5V (Ω)：
0.125
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.08
RDS(on)@10V (Ω)：
0.065
Qg @4.5V (nC)：
6.6
Qg @10V (nC)：
14
Qgs (nC)：
1.3
Qgd (nC)：
2
ID Max. (A)：
-4.5
PD Max. (W)：
10
VGS(th) Min. (V)：
-0.6
Rg Typ. (Ω)：
5.5

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