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SIB417EDK

P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-75 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Typical ESD Protection 900 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS •

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIB417EDK

P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

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SIB417EDK_V01

P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-75 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Typical ESD Protection 900 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS •

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SiB417EDK

P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIB417EDK

  • 功能描述:

    MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay/Siliconix
24+
SC-70-6
7500
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VISHAY
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更多SIB417EDK供应商 更新时间2025-11-30 15:30:00