SIA950DJ中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SIA950DJ
- 功能描述:
MOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
QFN |
699839 |
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询价 | |||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
589610 |
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询价 | ||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
QFN-6.贴片 |
78800 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
2860 |
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VISHAY/威世 |
1925+ |
PowerPAKSC-70-6 |
45000 |
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VISHAY |
2020+ |
QFN |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SC70-6 |
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VISHAY(威世) |
2112+ |
PowerPAK SC-70-6 |
105000 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? SC-70-6 双 |
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Vishay Siliconix |
24+ |
PowerPAK? SC-70-6 双 |
9350 |
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