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SIA923AEDJ	文件：209.41 Kbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance • Typical ESD Protection: 2500 V • 100 Rg Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Charg 文件：209.41 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIA923AEDJ	文件：370.48 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：370.48 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIA923AEDJ	文件：359.41 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：359.41 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIA923AEDJ_V02	文件：209.41 Kbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance • Typical ESD Protection: 2500 V • 100 Rg Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Charg 文件：209.41 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIA923AEDJ_V01	文件：359.41 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：359.41 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIA923AEDJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET • TrenchFET® Power MOSFETThermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance\n• 100 % Rg Tested\n\n\n\n;	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
SC-70
Ch：
P
VDS (V)：
-20
VGS (V)：
8
RDS(on)1.5V (Ω)：
0.165
RDS(on)@1.8V (Ω)：
0.104
RDS(on)@2.5V (Ω)：
0.07
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.054
Qg @4.5V (nC)：
9.5
Qgs (nC)：
1.4
Qgd (nC)：
2.3
ID Max. (A)：
-4.5
PD Max. (W)：
7.8
VGS(th) Min. (V)：
-0.4
Rg Typ. (Ω)：
5.1

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