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详细参数

  • 型号:

    SIA911EDJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
23+
SC70-6
51000
原装正品,假一罚十
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Vishay/Siliconix
24+
SC-70-6
7500
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VISHAY
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QFN
20000
2000
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VISHAY/威世
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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VISHAY
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SC-70-6
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VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
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VISHAY
21+
QFN
10000
原装现货假一罚十
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更多SIA911EDJ-T1-GE3供应商 更新时间2025-11-25 15:36:00