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SIA907EDJ-T1-GE3数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
SIA907EDJ-T1-GE3规格书详情
简介
SIA907EDJ-T1-GE3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的SIA907EDJ-T1-GE3晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：SIA907EDJ-T1-GE3
- 生产厂家
：Vishay
- FET 功能
：-
- 漏源电压（Vdss）
：-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：-
- 功率 - 最大值
：-
- 工作温度
：-
- 安装类型
：-
- 封装/外壳
：-
- 供应商器件封装
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAKSC |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SC-70-6 |
25000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAKSC-70 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SIA907EDJ-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAKSC |
60000 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
PowerPAKSC |
3200 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
21+ |
PowerPAKSC |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN6 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
2022+PB |
PowerPAKSC |
3200 |
询价 |
