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SIA430DJ-T1-GE3中文资料PDF规格书
SIA430DJ-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
• Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package
- Small Footprint Area
• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Load Switch
产品属性
- 型号：
SIA430DJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原装 假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY |
2017+ |
DFN |
6528 |
只做原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
DFN |
21500 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
2020+ |
QFN6 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
QFN |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2024+实力库存 |
2000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
DFN22 |
502693 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | |||
VBSEMI |
19+ |
QFN6 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
询价 |
