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SIA425EDJ-T1-GE3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

SIA425EDJ-T1-GE3
厂商型号

SIA425EDJ-T1-GE3

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.25252 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
VBSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-2 16:30:00

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产品属性

  • 型号:

    SIA425EDJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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