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SIA400EDJ-T1-GE3
厂商型号

SIA400EDJ-T1-GE3

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

224.62 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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SIA400EDJ-T1-GE3规格书详情

FEATURES

• TrenchFET® Power MOSFET

• New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package

    - Small Footprint Area

• Typical ESD Performance 2500 V HBM

• 100 Rg and UIS Tested

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Load Switch, OVP Switch

• Boost Converters

• DC/DC Converters

产品属性

  • 型号:

    SIA400EDJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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