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SiA112LDJ数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiA112LDJ

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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SiA112LDJ规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
• 100 % Rg and UIS tested



技术参数

  • 制造商编号

    :SIA112LDJ

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :PowerPAK SC-70-6L

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :100

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@4.5V (Ω)

    :0.135

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.119

  • Qg @4.5V (nC)

    :2.7

  • Qg @10V (nC)

    :5.9

  • Qgs (nC)

    :1.3

  • Qgd (nC)

    :0.6

  • ID Max. (A)

    :8.8

  • PD Max. (W)

    :15.6

  • VGS(th) Min. (V)

    :1

  • Rg Typ. (Ω)

    :1.4

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