SiA112LDJ中文资料N-Channel 100 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiA112LDJ规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
• 100 % Rg and UIS tested
技术参数
- 制造商编号
：SIA112LDJ
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SC-70-6L
- Ch
：N
- VDS (V)
：100
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.135
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.119
- Qg @4.5V (nC)
：2.7
- Qg @10V (nC)
：5.9
- Qgs (nC)
：1.3
- Qgd (nC)
：0.6
- ID Max. (A)
：8.8
- PD Max. (W)
：15.6
- VGS(th) Min. (V)
：1
- Rg Typ. (Ω)
：1.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
25+ |
DIP16 |
700 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
SAMSUNG |
24+ |
SIP |
36500 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
24+ |
DIP |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
SAMSUNG |
22+ |
SIP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA/ |
325 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
SM |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
KUAN |
245368 |
一级代理 原装正品 假一罚十 实单带接受价来谈 只 |
询价 | ||||
SAMSUNG/三星 |
2402+ |
DIP16 |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 |
