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SI9945BDY	文件：220.2 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Material categorization:  for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • LCD TV CCFL inverter • Load switch 文件：220.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9945BDY	文件：320.53 Kbytes Page：8 Pages	丝印：SI9945；Package：SOP-8；SI9945 FEATURES VDS (V) = 60V ID= 5.3A (VGS=10V) RDS(ON) 36m (VGS = 10V) RDS(ON) 47m (VGS = 4.5V) APPLICATIONS LCD TV CCFL inverter Load switch 文件：320.53 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SI9945BDY	文件：315.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：SI9945；Package：SOP-8；MOSFET FEATURES VDS (V) = 60V ID= 5.3A (VGS=10V) RDS(ON) 文件：315.78 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SI9945BDY_V01	文件：220.2 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Material categorization:  for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • LCD TV CCFL inverter • Load switch 文件：220.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3	文件：220.2 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Material categorization:  for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • LCD TV CCFL inverter • Load switch 文件：220.2 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9945BDY	文件：271.18 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：271.18 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9945BDY	文件：273.85 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：273.85 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9945BDY-T1-E3	文件：1.08954 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08954 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI9945BDY-T1-GE3	文件：271.18 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：271.18 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
Si9945BDY	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

ID/A：
6.5
VDS/V：
60
RDS(on)/mΩ：
32
VGS/V：
20
VGS(th)/V：
1.0-2.0
N/P：
N+N

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