Si9936DY中文资料30-V (D-S) Dual数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号：
SI9936DY
- 功能描述：
MOSFET SO8 DUAL NCH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
SOP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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PHI |
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SOP-8 |
8850 |
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SILICONIX |
23+ |
SOP8 |
30000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
65428 |
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VISHAY |
0237+ |
SOP-8 |
6000 |
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SIL |
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NA |
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SOP8 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
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SOP-8 |
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询价 | ||
VISHAY |
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SOP8 |
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全新原装100真实现货供应 |
询价 |
