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SI9936DY-T1-E3中文资料百域芯数据手册PDF规格书

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厂商型号

SI9936DY-T1-E3

功能描述

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

716.47 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Bychip

中文名称

百域芯

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 20:00:00

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SI9936DY-T1-E3规格书详情

特性 Features

VDS= 30V, ID= 6.5 A

RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 27 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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