| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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525 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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59178 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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45547 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8NARROW |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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545 |
08+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
20077 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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VISHAYSOP-8 |
6000 |
2022+ |
全新原装，有单必成 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAY8-SO |
18980 |
21+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8NARROW |
8725 |
1825+ |
只做原装正品 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体8-SO |
7922 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOIC-8NAR |
8365 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61785 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
SI9435BDY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI9435BDY图片
SI9435BDY-T1-E3价格
SI9435BDY-T1-E3价格：￥1.0634品牌：VISHAY
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SI9435BDY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9435BDY制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8
SI9435BDY_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI9435BDY_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI9435BDY-E3制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N
SI9435BDY-T1功能描述:MOSFET 30V 5.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9435BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9435BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
