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SI9407AEY	文件：56.95 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9407AEY-T1-E3	文件：1.06289 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SI9407BDY	文件：2.80811 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURES •Vos=-60Vb=-4A. •ROS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
SI9407BDY	文件：217.75 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Primarysideswitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ9407EY	文件：226.13 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualifiedd •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ9407EY	文件：227.05 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ9407EY	文件：206.98 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SI9407AEY
功能描述：
MOSFET 60V 3.5A 3W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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