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SI8817DB-T2-E1中文资料威世数据手册PDF规格书

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厂商型号

SI8817DB-T2-E1

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

160.27 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 15:38:00

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产品属性

  • 型号:

    SI8817DB-T2-E1

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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