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SI8499DB-T2-E1中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI8499DB-T2-E1
- 功能描述：
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
MICROF |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
VISHAY |
10+ |
BGA6 |
69000 |
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询价 | ||
SI |
24+ |
XX |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
12000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
SILICONIXVISHAY |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
SI8499DB-T2-E1 |
3000 |
3000 |
询价 | ||||
VISHAY |
1742+ |
6-BUMP |
98215 |
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询价 | ||
SI |
23+ |
XX |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
BGA6 |
23000 |
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