SI8461DB中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI8461DB
- 功能描述:
MOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
QFN |
65300 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
XFBGA4 |
6000 |
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VISHAY |
2018+ |
QFN |
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VISHAY/威世 |
23+ |
XFBGA-4 |
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VISHAY |
QFN |
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SILICON |
20+ |
SMD |
880000 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
589610 |
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VISHAY(威世) |
23+ |
XFBGA4 |
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VISHAY |
2016+ |
QFN |
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VISHAY |
17+ |
QFN |
6200 |
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