订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
SI8416DB-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH 8V 16A MICRO科雨四部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI8416DB-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
TrenchFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
相近型号
- SI8417DY
- SI8415DB
- SI8417EDK-T1-GE3
- SI84-151K
- SI84-180
- SI84-151
- SI84-180K
- SI84-150K
- SI84-181
- SI84-150
- SI84-181K
- SI8413DB-T1-E3
- SI84-1R2
- SI84-1R2L
- SI8420
- SI8420-A
- SI8420AB
- SI8413DB-T1-E1
- SI8420ABCIS
- SI8413DBT1E1
- SI8420AB-C-IS
- SI8413DB1-E1
- SI8420AB-D-IS
- SI84-121K
- SI8420AB-D-ISR
- SI84-121
- SI8420AB-I-IS
- SI84-120K
- SI8420AD
- SI84-120
- SI8420AD-A-IS
- SI8420AD-D-IS
- SI8410DY
- SI8420AD-D-ISR
- SI8410DB-T2-E1
- SI8420-A-IS
- SI8410DBT2E1
- SI8420-B
- SI8410-C-ISR
- SI8420BB
- SI8410-C-IS
- SI8420BB-C
- SI8410-C
- SI8420BB-C-IS
- SI8410B-IS
- SI8420BBDIS
- SI8410-B-IS
- SI8420BB-D-IS
- SI8410BD-D-ISR
- SI8420BB-D-ISR