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SI8407DB-T2-E1	文件：69.49 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：69.49 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
SI8407DB-T2-E1
功能描述：
MOSFET 20V 8.2A 2.9W 27mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市一线半导体有限公司	SI8407DB-T2-E1	Vishay/Siliconix	24+	Microfet2x2	7500		询价
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更多SI8407DB-T2-E1供应商更新时间2025-10-5 10:02:00

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