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FST8230	文件：119.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST8230EL	文件：113.3 Kbytes Page：2 Pages	80AmpRectifier30VoltsSchottkyBarrier Features •Guardringfortransientprotection •LowForwardVoltage •Highsurgecapacity •Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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FST8230SL	文件：144.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE80A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
FST8230SM	文件：129.09 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod SchottkyMiniMod •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •2X40Amperesavg. •150°CJunctionTemperature •ReverseEnergyTested •LowForwardVoltage •ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST8230SMA	文件：123.13 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST8230SMC	文件：123.13 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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IRH8230	文件：447.74 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HORE(TO-204AA/AE) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-204AA/AE) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeenc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHE8230	文件：269.52 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHF8230	文件：302.39 Kbytes Page：12 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHF8230	文件：298.27 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHM8230	文件：301.38 Kbytes Page：12 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR 200Volt,0.40Ω,MEGARADHARDHEXFET InternationalRectifier’sRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiaitiondosesashighas1x106Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-irradiationtestconditions,Internationa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHN8230	文件：513.99 Kbytes Page：14 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) Features: ■SingleEventEffect(SEE)Hardened ■LowRDS(on) ■LowTotalGateCharge ■ProtonTolerant ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■CeramicPackage ■LightWeight ■SurfaceMount	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHNJ8230	文件：129.229 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-0.5)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHY8230CM	文件：105.03 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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LC8230	文件：138.8 Kbytes Page：7 Pages	MPEGAudioDecoderLSI Overview TheLC8230audiodecoderdecodescodeddatathatwascompressedinconformancewithlayers1and2oftheMPEG1audiostandard(ISO/IEC11172-3).ItoutputsaPCMsignalthatcanbedirectlytransferredtoaD/Aconverter.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LCR-8230	文件：1.11751 Mbytes Page：2 Pages	HighFrequencyLCRMeter	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
PH8230	文件：214.84 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多SI8230AB-AS供应商更新时间2024-6-14 11:06:00

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