Si7964DP数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号:
SI7964DP
- 功能描述:
MOSFET 60V 9.6A 3.5W 23mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
DFN |
2680 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN-8 |
3000 |
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询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
QFN8 |
31315 |
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Vishay Siliconix |
25+ |
PowerPAK? SO-8 双 |
9350 |
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VISSHAY(威世) |
24+ |
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Vishay Siliconix |
22+ |
PowerPAK? SO8 Dual |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
VIS |
23+ |
QFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
5 |
询价 | |||
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
SI |
24+ |
NA/ |
3388 |
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