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SI7942DP-T1中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7942DP-T1
- 功能描述：
MOSFET 100V N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
DFN-8 |
1675 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
POWERPAK |
25000 |
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VIS |
23+ |
QFN |
12800 |
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VISHAY/威世 |
07+ |
QFN |
188 |
原装正品现货,可开发票,假一赔十 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
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VISHAY |
24+ |
QFN |
65300 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-8 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
7000 |
询价 |
