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深圳市科达星科技有限公司

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SI7886ADP-T1-E3

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SI7886ADP-T1-E3

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SI7886DP-T1-GE3

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SI7886DP-T1

VISHAY/威世BGA

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SI7886DP低压MOS管

VISQFN8

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VISHAYSOP8

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深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市能元时代电子有限公司

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VISHAYQFN8

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SI7886DP-T1

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深圳市创盛芯科技有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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SI7886ADP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7886DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

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