| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
SI7860DP-T1-GE3
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
7350
- 产品封装：
PowerPAK? SO8
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-10-31 23:00:00
SI7860DP-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V高捷芯城商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
SI7860DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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