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SI7774DP-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7774DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 60A N-CH MOSFET w/Shottky
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN8 |
18000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
2750 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VIS |
23+ |
QFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Vishay/Siliconix |
24+ |
SO-8 |
7500 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
8650 |
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询价 | ||
VISHAY |
25+ |
QFN8 |
10026 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 |
