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SI7772DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V跃创芯

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    SI7772DP-T1-GE3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    25000

  • 产品封装：

    QFN-8

  • 生产批号：

    22+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-5-20 14:18:00

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原厂料号：SI7772DP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

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  • 芯片型号：

    SI7772DP-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VISHAY【威世科技】详情

  • 厂商全称：

    Vishay Siliconix

  • 中文名称：

    威世科技半导体

  • 内容页数：

    13 页

  • 文件大小：

    359.16 kb

  • 资料说明：

    nullN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI7772DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市跃创芯科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺

  • 联系人：

    李小姐

  • 手机：

    19065122659

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  • 电话：

    13510546959

  • 地址：

    深圳市福田区福田街道福山社区彩田路2010号中深花园B1008M15

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