选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)PowerPAK? SO-8 |
62694 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYMLP8 |
3480 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世DFN |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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VISHAY/威世QFN8 |
2760 |
23+ |
绝对原装公司现货!17年VIP信誉保证! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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VISHAYQFN8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世QFN8 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAYQFN |
10674 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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42490 |
23+ |
原装现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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VISHAY/威世QFN |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
540 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
7098 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世MLP8 |
84978 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世QFN |
8820 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
SI7634采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7634图片
SI7634BDP-T1-GE3价格
SI7634BDP-T1-GE3价格:¥4.9283品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7634BDP-T1-GE3多少钱,想知道SI7634BDP-T1-GE3价格是多少?参考价:¥4.9283。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7634BDP-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7634BDP-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7634BDP-T1-GE3报价。
SI7634DP-T1资讯
SI7634BDP 四海长虹国际
公司原装正品现货 刘小姐:0755-36619887QQ:85274239513794476985
SI7634DP-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7634BDP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI7634BDP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 40A 48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7634BDP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7634DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 40A 48W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube