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SI7456CDP	文件：132.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI7456CDP_17	文件：132.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DDP	文件：311.76 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI7456DDP	文件：482.57 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DDP_V01	文件：365.81 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DDP-T1-GE3	文件：365.81 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP	文件：61.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP	文件：198.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP	文件：298.69 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP	文件：297.04 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP_06	文件：198.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP_17	文件：298.69 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP_V01	文件：297.04 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP-T1	文件：61.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7456DP-T1-E3	文件：145.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AM7456N	文件：427.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
IRF7456	文件：548.7 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET HighFrequencyDC-DCConverters withSynchronousRectification Lead-Free Applications Features (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=16A RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IRF7456	文件：165.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=0.0065ohm,Id=16A) Benefits ●Ultra-LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowChargeandLowGateImpedancetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCConverterswithSynchronousRectification	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF7456PBF	文件：211.51 Kbytes Page：8 Pages	HighFrequencyDC-DCConverterswithSynchronousRectification	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
SI7456
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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