选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOP-8 |
502153 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
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VISHAYQFN8 |
50 |
16+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
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VISHAY/威世PPAKSO-8 |
6451 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
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VISHAY/威世QFN |
2139 |
24+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
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FREESCALEHSSOP30 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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VISHAYSO-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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VISHAYSO-8 |
30000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)PowerPAK_SO-8 |
58522 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
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SIBGA |
3220 |
23+ |
原装正品公司现货价格优惠欢迎查询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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SIQFN |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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SIBGA |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
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Vishay(威世)NA |
6500 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Vishay(威世)标准封装 |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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Vishay SiliconixPowerPAK? SO-8 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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Vishay(威世)标准封装 |
13048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
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VVFDFPN8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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VISHAY/威世NA/ |
6451 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
SI7454采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7454图片
SI7454DP-T1-E3价格
SI7454DP-T1-E3价格:¥3.1969品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7454DP-T1-E3多少钱,想知道SI7454DP-T1-E3价格是多少?参考价:¥3.1969。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7454DP-T1-E3批发价格及采购报价,SI7454DP-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7454DP-T1-E3报价。
SI7454DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7454CDP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI7454DDP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100volt 33mOhms@10V 21A N-Ch T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7454DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7454DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7454DP-T1功能描述:MOSFET 100V 7.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7454DP-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 7.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7454DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube