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SI7431DP-T1-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7431DP-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 200V 3.8A 5.4W 174mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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VISHAY |
20+ |
QFN |
684 |
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VISHAY |
22+ |
QFN8 |
5 |
原装正品 现货 真诚出货 |
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Vishay(威世) |
21+ |
N/A |
7880 |
全新原装亏本出 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN8 |
6000 |
正规渠道原装正品 |
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VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK-SO-8 |
9908 |
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Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK_SO-8 |
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VISHAY |
2023+ |
QFN |
700000 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
25000 |
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