| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
12000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世QFN-8 |
10053 |
2105+ |
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深圳市硅宇电子有限公司13年
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Vishay(威世)PowerPAK 1212-8 |
61010 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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威世QFN8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
12048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN8 |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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VISHAYQFN-8 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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CCSEMI/芯能圆DFN3X3-8 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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PowerPAK1212-8VISHAY |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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VISHAYQFN-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK1212-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世QFN |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市富诚威科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世DFN3X3 |
4678 |
22+ |
进口原装公司现货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK_12128 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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CCSEMI/芯能圆NA/ |
6250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYDFN |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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67000 |
23+ |
原装正品实单可谈 库存现货 |
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SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE价格
SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE价格：￥3.7354品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE多少钱，想知道SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE价格是多少？参考价：￥3.7354。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE批发价格及采购报价，SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE销售排行榜及行情走势，SI7423DN-T1-E3-CUTTAPE报价。
SI7423DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7423DN-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7423DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
