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SI7415DN-T1-GE3中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7415DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 5.7A 3.8W 65mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Silicon Labs/芯科 |
25+ |
标准 |
34873 |
Silicon Labs/芯科原装特价SI7415DN-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2450+ |
PowerPAK-1212-8 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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Vishay(威世) |
24+ |
PowerPAK 1212-8 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
PowerPAK-1212-8 |
30000 |
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VISHAY |
25+23+ |
PowerPAK- |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
PowerPAK-1212-8 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK-1212-8 |
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