| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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18年
留言
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VISHAY07+08+ |
2100 |
QFN |
全新原装绝对优势现货特价! |
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2年
留言
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SI |
4445 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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13年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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17年
留言
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VISHAY |
5000 |
24+ |
有部份现货 |
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17年
留言
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SIQFN1212-8 |
4000 |
24+ |
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13年
留言
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VISHAYSMD |
2600 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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5年
留言
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SIQFN1212-8 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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SIQFN1212-8 |
4445 |
23+ |
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13年
留言
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VISHAYQFN-8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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4年
留言
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SI |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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SIQFN1212-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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SIQFN1212-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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VISHAYQFN8 |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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VISHAYSMD |
20000 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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3年
留言
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VISHAYQFN |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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12年
留言
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VISHAY/威世DFN8 |
6540 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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10年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
26+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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2年
留言
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VISHAY/威世 |
5000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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SI7404DN图片
SI7404DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7404DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7404DN-T1功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7404DN-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7404DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W 13mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

























