SI7386DP中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7386DP
- 功能描述：
MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI |
23+ |
NA/ |
619 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN |
9000 |
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询价 | ||
VISHAY |
QFN |
699839 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
1925+ |
PowerPAKSO-8 |
45000 |
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询价 | ||
VIS |
23+ |
QFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
07+ |
QFN |
3000 |
询价 | |||
VISHAY |
TSSOP28 |
3200 |
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VISHAY |
23+ |
QFN |
12800 |
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VISHAY |
22+ |
QFN |
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VISHAY |
21+ |
QFN8 |
5065 |
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